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GB/T 4937.30-2018半导体器件在可靠性试验前的预处理

时间:2023/4/12      浏览次数:243

GB/T 4937.30-2018/IEC 60749-30:2011半导体器件  机械和气候试验方法第30部分∶非密封表面安装器件在可靠性试验前的预处理

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1  范围

GB/T4937的本部分规定了非密封表面安装器件(SMDs)在可靠性试验前预处理的标准程序。本部分规定了SMDs的预处理流程。

SMDs在进行规定的室内可靠性试验(鉴定/可靠性监测)前,需按本部分所规定的流程进行适当的预处理,以评估器件的长期可靠性(受焊接应力的影响)。

注∶GB/T4937.20和本部分中的潮湿诱导应力敏感度条件【或潮湿敏感度等级(MSL)】与实际使用的再流焊条件

之间的关系依赖于半导体器件承制方的温度测量。因此,建议在装配过程中,实时监控温度最高的潮湿敏感SMD封装顶面的温度,以确保其温度不超过元件评估温度。

2  规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。

GB/T 4937.20—2018 半导体器件 机械和气候试验方法  第20部分∶塑封表面安装器件耐潮湿和焊接热综合影响(IEC 60749-20∶2008,IDT)

IEC60749-4 半导体器件  机械和气候试验方法  第4部分∶强加速稳态湿热试验(HAST)[Semiconductor devices—Mechanical and climatic test methods—Part 4:Damp heat,steady state, highly accelerated stress test(HAST)]

IEC60749-5 半导体器件 机械和气候试验方法 第5部分∶稳态温湿度偏置寿命试验(Semi--conductor devices—Mechanical and climatic test methods—Part 5:Steady-state temperature humidity bias life test)

IEC60749-11 半导体器件 机械和气候试验方法 第11部分∶快速温度变化 双液槽法(Semi--conductor devices—Mechanical and climatic test rnethods——Part 11:Rapid change of temperature——Two-fluid-bath method)

IEC60749-24 半导体器件 机械和气候试验方法 第24部分∶加速耐湿 无偏置强加速应力试验(Semiconductor devices—Mechanical and climatiic test methods——Part 24;Accelerated moisture re-sistance-Unbiased HAST)

IEC60749-25∶2003半导体器件 机械和气候试验方法 第25部分∶温度循环(Semiconductor devices—Mechanical and climatic test methods—Part 25:Temperature cycling)

IEC60749-33 半导体器件  机械和气候试验方法  第33部分∶加速耐湿  无偏置高压蒸煮(Semiconductor devices—Mechanical and climatic test methods—Part 33:Accelerated moisture resist-ance—Unbiased autoclave)

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